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環(huán)氧樹脂和添加各種光穩(wěn)定劑后環(huán)氧樹脂的透過光譜圖。由圖可以看出所有紫外穩(wěn)定劑與環(huán)氧樹脂均有良好的相容性, 對環(huán)氧樹脂可見光區(qū)的透光率沒有影響。在紫外光區(qū), 未經改性的環(huán)氧樹脂EP- 400 在400nm 左右仍有很高的光透過率( > 82% ) , 對300nm 以下的紫外光才能夠完全吸收, 因此當EP- 400 用于UV -WLED 的封裝時容易造成紫外光泄漏。紫外線吸收劑是一類能強烈地、選擇性地吸收紫外線的化合物, 是光穩(wěn)定劑中最主要的一種。從圖4 中可以看出二羥基二苯甲酮類紫外吸收劑BP- 1和苯并三唑類紫外吸收劑UV - P、UV - 329 都具有良好的紫外吸收性能, 在透明環(huán)氧EP400中加入0. 1w %t 的紫外吸收劑就可以達到完全吸收的效果。其中UV - 329、UV - P 和BP- 1 的吸收截止譜帶為380nm 左右, 均可以達到防止紫外線泄漏的目的。另外從圖4 可以看出, 添加受阻氨類光穩(wěn)定劑HS- 508 和BW - 10LD 的環(huán)氧樹脂的UV- V is透過光譜與純EP- 400基本相同, 這說明受阻胺類光穩(wěn)定劑不具有紫外線吸收功能, 對環(huán)氧樹脂可見光區(qū)的透光性能也沒有影響。

制備納米氧化鋅、納米S- T和納米S- T - S粒子。所制備納米ZnO 粒徑為27 nm; 二氧化硅- 二氧化鈦( S- T )粒徑69nm, 二氧化硅/二氧化鈦= 36. 5 w%t , 600e 下煅燒2h, 使二氧化鈦轉變?yōu)殇J鈦礦型; 制備了二氧化硅- 二氧化鈦- 二氧化硅( S - T - S)粒徑約為72nm, 二氧化硅核、二氧化鈦包覆層和最外層二氧化硅的重量比為WSilica: WT itan ia: WS ilica= 0. 70: 0. 27: 0. 03, 600e 下煅燒2h。圖5是ZnO /環(huán)氧和S- T /環(huán)氧納米復合材料的UV- V is透過譜。由于S- T- S 納米粒子, 最外層二氧化硅含量非常低, 對復合材料透過性能影響很低, S- T - S /環(huán)氧納米復合材料的UV - V is圖譜與S- T /環(huán)氧復合材料的圖譜基本一致。