多晶硅過程氣體分析儀

多晶硅尾氣各主要成分的體積分?jǐn)?shù)分別為，HCl 30%；H2 64.2%；SIHCl3 5.4%；其他0.2%。多晶硅尾氣均為可回收的產(chǎn)品或可循環(huán)使用的原料。對尾氣進行有效的治理，不僅可以提高原料的利用率，還可以降低三廢的排放量。為了合理治理尾氣，必須根據(jù)尾氣的特性、成分、壓力等，選擇適當(dāng)?shù)墓に嚵鞒毯图夹g(shù)條件。
多晶硅過程氣體分析系統(tǒng)可連續(xù)監(jiān)測工業(yè)硅提純的三氯氫硅氫還原工藝中氫氣的氧含量和微水含量以及在尾氣管道保護氣氮氣的氧含量和微水含量，從而保證最后提煉超純硅的品質(zhì)。
采用變壓吸附工藝，一次性去除所有雜質(zhì)，確保分析效果準(zhǔn)確性。預(yù)處理單元中利用吸附劑吸附雜質(zhì)組分的能力遠強于吸附氫氣能力，可以將混合氣體中的氫氣提純。本系統(tǒng)根據(jù)我國多晶硅生產(chǎn)線中高塵、高腐蝕的惡劣工況條件。
系統(tǒng)特點
1. 取樣系統(tǒng)為可插拔式探頭，方便更換濾芯
2. 過濾器可過粉塵和硅粉，過濾精度為0.1μm
3. 大屏幕現(xiàn)場就地顯示
4. 系統(tǒng)自動標(biāo)定，無須人工校驗；
5. 主機采用純進口檢測元件；
6.系統(tǒng)兼容性強大
7.手自動一體，故障自檢；
技術(shù)參數(shù)
1) 型號：TR9700
2) 輸出：4-20 mA、RS232或485
3) 響應(yīng)時間：T90<15s
4) 工作溫度：-20º~+60º
5) 電源：24 VDC
6) 防護等級：IP65
7) 系統(tǒng)部件：316L不銹鋼
8) 防爆標(biāo)準(zhǔn)：符合EEx ia IIC T4
微水分析儀：
a. 測量范圍：-100~+20º
b. 精度：+20~-60º 露點范圍內(nèi)為±1º
c. -60~-100º 露點范圍內(nèi)為±2º
d. 工作壓力： 真空~40 MPa
e. 計量單位：PPmW,℃
f. 防爆標(biāo)準(zhǔn)：非現(xiàn)場顯示型符合EEx ia IIC T4
g. 現(xiàn)場顯示型符合EEXd IIB T4